去年底台积电宣布3nm量产,预计今年年中之后在终端层面开始大规模应用。
随后有业内专家透露,台积电3nm的良率可达80%,非常可观。
然而,提前半年投产3nm的三星,则有些尴尬,据说良率仅20%。这个表现,难怪没有大厂敢下单。
虽说三星上马了GAA晶体管,技术难度高算是情有可原,然而和台积电差距这么大显然不是长久之计。
据DT报道,三星正在调整的一个优化方案是,在3nm EUV光刻中引进穿透率达90%的掩模保护膜,供应商是本土公司S&S Tech。
EUV光刻与此案的ArF(氟化氩)曝光设备不同,光反射到镜子后,再到晶片,因此光源损失很大。要想使光源损失降到最低,必须使用穿透率超过90%的EUV用保护膜,从而保护光罩。
三星这一调整,能否有效提高3nm GAA芯片的良率,还有待检验。
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