清华大学集成电路学院教授任天令团队以单层石墨烯作为栅极，打造出一种“侧壁”晶体管，创下了0.34nm栅极长度的纪录。此项研究登上了最新一期Nature，题为“具有亚1纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”（Vertical MoS2 transistors with sub-1-nm gate lengths）。
晶体管作为芯片的核心元器件，更小的栅极尺寸能让芯片上集成更多的晶体管，并带来性能的提升。此项纪录原有的保持者是斯坦福大学在2016年用碳纳米管造出1nm栅极长度晶体管。
任天令指出，这可能是摩尔定律的最后一个节点。在未来，人们几乎不可能制造小于0.34 nm的栅极长度。（澎湃新闻记者 邵文）
相关：
吉林省现存新冠病毒初筛阳性人员1427例 3月15日上午，吉林省政府召开第36场新冠肺炎疫情防控工作新闻发布会，通报疫情防控工作最新情况。 据吉林省卫生健康委副主任张力介绍，截至3月15日9时，吉林省现存新冠病毒初筛阳性人员1427例，以上人员..
山西审查机关依法对宋承平涉嫌纳贿案提起公诉 中新网3月15日电 据最高人民检察院微信公众号消息，河北省人大常委会原党组成员、副主任宋太平涉嫌受贿案，由国家监察委员会调查终结，经最高人民检察院指定，由山西省运城市人民检察院审查起诉。近日，运城..