近日科技部高新司在北京组织召开“十二五”期间863计划重点支持的“第三代半导体器件制备及评价技术”项目验收会。通过项目的实施，我国在第三代半导体关键的碳化硅和氮化镓材料、功率器件、高性能封装以及可见光通信等领域取得突破。
中国开展SiC、GaN材料和器件方面的研究工作比较晚，与国外相比水平较低，阻碍国内第三代半导体研究进展的重要因素是原始创新问题。随着国家对第三代半导体材料的重视，近年来，我国半导体材料市场发展迅速。其中以碳化硅与氮化镓为主的材料备受关注。我们认为，该项目取得的进展，显示出我国在半导体前沿材料的研究方面取得了突破进展，有助于支撑我国在节能减排、现代信息工程、现代国防建设上的重大需求。
近年来，国家和各地方政府陆续推出政策和产业扶持基金发展第三代半导体相关产业：地方政策在2016年大量出台，福建、广东、江苏、北京、青海等27个地区出台第三代半导体相关政策(不包括LED)近30条。
考虑到当前国内的半导体产业投资基本上进入了国家主导的投资阶段，2014年大基金的成立开启了一轮国内投资半导体的热潮，无论是政府资金，还是产业资本都纷纷进入这个领域。随着碳化硅和氮化镓材料研发取得进展，我们预期，第二期大基金的布局焦点应该会向上游的原材料和设备倾斜更多的资源，尤其是涉及第三代半导体材料氮化镓和碳化硅这样的上游材料公司有机会受到资金青睐。
国内企业方面，在LED芯片领域已有深厚积累的三安光电(600703.SH)，在第三代半导体材料的研发投入达到了330亿元。我们认为三安光电凭借其在LED芯片整条产业链的整合优势和技术设备优势有望在第三代半导体产业高速发展的过程中会脱颖而出，建议重点关注。除三安光电外，扬杰科技(300373.SZ)、国民技术(300077.SZ)、海特高新(002023.SZ)等多家上市公司均开始布局第三代半导体业务。
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